特許

J-GLOBAL ID：201103056509128161

光検出器の製造方法

発明者： 土澤 泰 ,  渡辺 俊文 ,  山田 浩治 ,  板橋 聖一
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-204525
公開番号（公開出願番号）：特開2011-053593
出願日： 2009年09月04日
公開日（公表日）： 2011年03月17日
要約：

【課題】シリコン導波路に対する損傷が抑制された状態で、シリコン細線導波路とゲルマニウム受光器とをモノリシックに形成できるようにする。【解決手段】シリコン層103上の一部にp型シリコン層132およびゲルマニウム層107を形成した後で、よく知られたリソグラフィ技術とエッチング技術を利用した従来と同様な作製方法を用いてシリコン層103をパターニングし、シリコンコア131を形成する。なお、p型シリコン層132は、このまま残るようにする。ここで、シリコンコア131は、一部がゲルマニウム層107の下のp型シリコン層132に接触するように形成する。【選択図】 図1H

請求項（抜粋）：

酸化シリコンからなる下部クラッド層の上にシリコン層を備える基板の前記シリコン層の一部に第1導電型の不純物が導入された第1導電型シリコン層を形成する工程と、 前記第1導電型シリコン層の上にゲルマニウムからなるゲルマニウム層を形成する工程と、 前記ゲルマニウム層の上に第2導電型の半導体層を形成し、前記第1導電型シリコン層,前記ゲルマニウム層,および前記第2導電型の半導体層より構成されたゲルマニウム光受光器を形成する工程と、 前記シリコン層をパターニングして一端が前記第1導電型シリコン層に接続するコアを形成する工程と、 前記コアを覆う上部クラッド層を形成する工程と を少なくとも備え、 前記コアの形成は、前記ゲルマニウム層を形成した後に行うことを特徴とする光検出器の製造方法。

IPC (1件)：

G02B 6/122

FI (1件)：

G02B6/12 B

Fターム (9件)：

2H147AB02 ,  2H147AB05 ,  2H147AB31 ,  2H147CB03 ,  2H147EA13A ,  2H147EA13B ,  2H147EA13C ,  2H147FC03 ,  2H147FF07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シンチレータプレートの製造方法及びシンチレータプレート
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-186483   出願人：コニカミノルタエムジー株式会社
• 導波路型光源
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-084722   出願人：日本電信電話株式会社