特許

J-GLOBAL ID：201103056560584767

半導体装置、半導体装置の製造方法、電子機器および電子機器の製造方法

発明者： 青木 敬
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-157723
公開番号（公開出願番号）：特開2011-014724
出願日： 2009年07月02日
公開日（公表日）： 2011年01月20日
要約：

【課題】回路特性の向上が可能な、有機トランジスタよりなる論理回路を有する半導体装置を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、ドライバトランジスタ(PTD)とロードトランジスタ(PTL)を有する論理回路を含む半導体装置であって、ドライバトランジスタの能動層は、第1のp型有機半導体層(5D)からなり、ロードトランジスタの能動層は、第2のp型有機半導体層(5L)からなり、ロードトランジスタの閾値電圧(VthL)はドライバトランジスタの閾値電圧(VthD)よりも高い。p型有機半導体(5D,5L)の膜厚を変えることにより、閾値を変化させる。p型有機半導体(5D,5L)の材料を変えることにより、閾値を変化させる。第1のp型有機半導体層(5D)にドナーを含ませる。第2のp型有機半導体層(5L)にアクセプターを含ませる。かかる構成により、論理回路の特性を向上させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ドライバトランジスタとロードトランジスタを有する論理回路を含む半導体装置であって、 前記ドライバトランジスタの能動層は、第1のp型有機半導体層からなり、 前記ロードトランジスタの能動層は、第2のp型有機半導体層からなり、 前記ロードトランジスタの閾値電圧は前記ドライバトランジスタの閾値電圧よりも高いことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 27/08 ,  H01L 27/28

FI (6件)：

H01L27/08 321C ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/28 500

Fターム (53件)：

5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AB10 ,  5F048AC04 ,  5F048BA00 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB14 ,  5F048BB15 ,  5F048BC01 ,  5F048BC15 ,  5F048BD00 ,  5F048BD01 ,  5F048BF01 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F110AA08 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110NN78