特許

J-GLOBAL ID：201103056608090923

SiOxの製造方法

発明者： 木崎 信吾 ,  菅野 英明
出願人/特許権者： 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ
代理人 (2件)： 森 道雄 ,  松永 英幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-202747
公開番号（公開出願番号）：特開2011-051844
出願日： 2009年09月02日
公開日（公表日）： 2011年03月17日
要約：

【課題】優れたサイクル特性および初期効率を有するリチウムイオン二次電池の負極活物質として好適に使用することができるSiOxの製造方法を提供する。 【解決手段】下記(1)および(2)の工程を含むSiOxの製造方法であり、SiOxにおけるxの値を0.8<x<0.95の範囲内に制御する。(1)酸化珪素(SiO)を非酸化性雰囲気中で400〜800°C(望ましくは、600〜700°C)で2時間以上熱処理する。(2)前記熱処理後の酸化珪素を0.5〜10体積%のフッ酸で洗浄する。前記(1)の工程の非酸化性雰囲気中での熱処理に替えて、遊星ボールミルによる粉砕処理を行うこととしてもよい。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

SiOxの製造方法であって、 下記(1)および(2)の工程を含み、前記SiOxにおけるxの値を0.8<x<0.95の範囲内に制御することを特徴とするSiOxの製造方法。 (1)酸化珪素(SiO)を非酸化性雰囲気中で400〜800°Cで2時間以上熱処理する。 (2)前記熱処理後の酸化珪素を0.5〜10%のフッ酸で洗浄する。

IPC (2件)：

C01B 33/113 ,  H01M 4/48

FI (2件)：

C01B33/113 A ,  H01M4/48 101

Fターム (22件)：

4G072AA24 ,  4G072GG03 ,  4G072HH13 ,  4G072MM23 ,  4G072MM26 ,  4G072MM36 ,  4G072UU30 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050AA19 ,  5H050BA17 ,  5H050CB02 ,  5H050EA10 ,  5H050FA17 ,  5H050GA02 ,  5H050GA05 ,  5H050GA12 ,  5H050GA27 ,  5H050HA02 ,  5H050HA10 ,  5H050HA14 ,  5H050HA20