特許
J-GLOBAL ID：201103057186156655
すず-ニッケル合金膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 興作 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-377157
公開番号（公開出願番号）：特開2002-180283
特許番号：特許第3388410号
出願日： 2000年12月12日
公開日（公表日）： 2002年06月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 所定の基板上に、ニッケル層を厚さ10μm〜50μmに析出させるとともに、すず層を厚さ10μm〜50μmに析出させて、前記ニッケル層と前記すず層とがこの順に積層されてなる多層膜を形成した後、この多層膜にレーザ光を照射することにより、すずの融点以上の温度に加熱して前記すず層を溶解させ、すずの液相拡散を利用して、すず-ニッケル合金膜を製造することを特徴とする、すず-ニッケル合金膜の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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