特許
J-GLOBAL ID：201103057191251313
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-226093
公開番号（公開出願番号）：特開平3-087072
特許番号：特許第2817247号
出願日： 1989年08月30日
公開日（公表日）： 1991年04月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】一導電型半導体基板に形成された接合の深さが深い逆導電型の第1の不純物拡散層と、この第1の不純物拡散層を含む領域に形成され接合の深さが浅い逆導電型の第2の不純物拡散層と、前記第1の不純物拡散層の底部近傍に形成された一導電型の第3の不純物拡散層と、前記半導体基板表面における前記第2の不純物拡散層と半導体基板との接合部上に酸化膜を介して形成されたゲート電極とを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/90 D
, H01L 29/06
