特許
J-GLOBAL ID：201103057244450640
微細パターンとワイドパターンとが混在する集積回路ステージを形成するための方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-511022
特許番号：特許第4680477号
出願日： 2001年06月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 特に半導体からなる複数のパターンを有した集積回路ステージを形成するための方法であって、
前記複数のパターンの中のいくつかの第1パターン(2’)は、しきい値よりも大きな幅を有し、かつ、前記複数のパターンの中のいくつかの第2パターン(2”)は、前記しきい値よりも小さな幅を有したものとされている場合に、
基板(1)上に、パターン材料層(2)を成膜し、
このパターン材料層上に、マスク(3)を成膜し、
その後、このマスク上に、上部層(4)を成膜し、
第1樹脂(5)を成膜した後に、この第1樹脂を露光して現像することによって、形成されるべき前記第1パターン上にだけ、前記第1樹脂を残し、
前記上部層(4)を、露出されている部分に関して、エッチングし、
前記第1樹脂を除去し、
第2樹脂を成膜した後に、この第2樹脂を露光して現像することによって、形成されるべき前記第2パターン上にだけ、前記第2樹脂を残し、
前記マスク(3)を、露出されている部分に関して、エッチングし、
前記パターン材料層(2)を、露出されている部分に関して、エッチングし、これにより、前記第1パターンおよび前記第2パターンを形成し、
前記第2樹脂(6)を除去する、
という集積回路ステージ形成方法において、
前記上部層の前記エッチング後に、さらに、前記マスク(3)をもエッチングし、
前記第1樹脂(5)の前記除去後に、第2マスク(9)を成膜し、
第2樹脂の前記成膜、前記露光、および、前記現像の後に、前記第2マスクを、露出されている部分に関して、エッチングする、
ことを特徴とする集積回路ステージ形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01)
, G03F 7/26 ( 200 6.01)
, H01L 21/3065 ( 200 6.01)
H01L 21/30 502 A
, G03F 7/26 511
, H01L 21/302 105 A
