半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：高橋省吾 , 稲葉忠彦 , 村上加奈子 , 中鶴一隆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-587487
特許番号：特許第4348888号
出願日： 2000年05月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型の半導体層と、前記半導体層の一方の表面に設けられた第2導電型のコレクタ層と、前記半導体層の他方の表面に設けられた第2導電型のベース層と、前記ベース層に設けられた第1導電型のエミッタ層とを備えた半導体装置において、前記エミッタ層は、2つの桁部と前記桁部間に設けられた桟部とから構成されたはしご形状であり、前記桁部の終端部間にも前記桟部が設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：