特許

J-GLOBAL ID：201103057737832797

GaInP系エピタキシャル構造体

発明者： 宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 柿沼 伸司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264389
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085673
特許番号：特許第3228277号
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半絶縁性のGaAs単結晶基板上に、GaYIn1-YAs(0<Y≦1)からなる2次元電子走行層と、GaZIn1-ZP(0<Z≦1)からなる電子供給層とを含むGaInP系エピタキシャル構造体に於いて、基板と2次元電子走行層との間に、トリエチルガリウムを用いて気相成長され、硼素が添加されたAlXGa1-XAs(0≦X≦1)層を有することを特徴とするGaInP系エピタキシャル構造体。

IPC (4件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/80 H