特許
J-GLOBAL ID:201103058010243990

めっき方法による二次電池用電極材料

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 倉内 基弘 ,  風間 弘志
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-341814
公開番号(公開出願番号):特開2003-142088
特許番号:特許第3621370号
出願日: 2001年11月07日
公開日(公表日): 2003年05月16日
請求項(抜粋):
【請求項1】集電体の片面又は両面に錫又は錫合金めっき浴から析出させた錫又は錫合金めっき皮膜を形成させてなる二次電池用電極材料であって、該めっき皮膜が0.5μm未満の平均粒径を有するめっき粒子が実質的に連続した皮膜を成していること及び該めっき皮膜が少なくとも下記成分(i)〜(v):(i)5g/L以上、200g/L以下の2価の錫イオン、(ii)2価の錫イオンに対して合計して化学量論的に当量以上の、2価の錫イオンと水溶性の塩又は錯体を形成する酸又は錯化剤の1種又は2種以上、(iii)合計して少なくとも1ppm以上の濃度の酸化防止剤の1種又は2種以上、(iv)0.5g/L以上、200g/L以下の炭素数が6以下の脂肪族ケトン又は炭素数が6以下の脂肪族の分岐又は非分岐のアルコールの1種又は2種以上、(v)界面活性剤、平滑化添加剤、半光沢剤及び光沢剤から選ばれる有機添加剤の1種又は2種以上を必須の成分として含有する錫又は錫合金めっき浴から析出させたものであることを特徴とする二次電池用電極材料。
IPC (6件):
H01M 4/38 ,  H01M 4/02 ,  H01M 4/66 ,  H01M 4/70 ,  H01M 10/40 ,  H01M 4/04
FI (6件):
H01M 4/38 Z ,  H01M 4/02 D ,  H01M 4/66 A ,  H01M 4/70 A ,  H01M 10/40 Z ,  H01M 4/04 A

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