特許
J-GLOBAL ID:201103058111266320
発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システム
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
金高 寿裕
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-278058
公開番号(公開出願番号):特開2011-129921
出願日: 2010年12月14日
公開日(公表日): 2011年06月30日
要約:
【課題】光効率が向上した発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システムを提供する。【解決手段】本発明による発光素子は、導電性支持層と、導電性支持層上に、第1電気伝導性を有する第1の透明伝導層及び第1電気伝導性よりも低い第2電気伝導性を有する第2の透明伝導層を含む透明伝導層と、透明伝導層上に、第1導電型の半導体層、第2導電型の半導体層及び第1導電型の半導体層と第2導電型の半導体層の間の活性層を含む発光構造層と、発光構造層上に、第2の透明伝導層と垂直方向にオーバーラップする領域に少なくとも一部分が配置される電極と、を含む。【選択図】図1
請求項(抜粋):
導電性支持層と、
前記導電性支持層上に形成され、第1電気伝導性を有する第1の透明伝導層及び前記第1電気伝導性よりも低い第2電気伝導性を有する第2の透明伝導層を含む透明伝導層と、
前記透明伝導層上に形成され、第1導電型の半導体層、第2導電型の半導体層及び前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体層の間の活性層を含む発光構造層と、
前記発光構造層上に形成され、前記第2の透明伝導層と垂直方向にオーバーラップする領域に少なくとも一部分が配置される電極と、
を含む発光素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L33/00 150
, H01L33/00 186
Fターム (14件):
5F041AA03
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA88
, 5F041CB03
, 5F041CB15
, 5F041DA07
, 5F041DA19
, 5F041DA36
, 5F041DC07
, 5F041DC23
, 5F041DC82
, 5F041FF11
引用特許: