特許

J-GLOBAL ID：201103058153253880

磁性膜の加工方法

発明者： 松崎 一夫 ,  江戸 雅晴
出願人/特許権者： 富士電機デバイステクノロジー株式会社
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-238796
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068369
特許番号：特許第3785867号
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】Co以外の元素として、Hf、Ta、Pd、Ni、Fe、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Ag、Cd、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、N、Oの少なくとも1つ以上の元素を含むCo系磁性膜の表面をエッチング液でエッチング加工して前記磁性膜を加工する方法であって、前記エッチング液は、37%HCl、30%H2O2、H2Oの混合液であり、前記H2Oに対する37%HClおよび30%H2O2の体積比が、それぞれ少なくとも20%以上であり、前記磁性薄膜を50°C以下の前記エッチング液でエッチングすることを特徴とする磁性膜の加工方法。

IPC (3件)：

H01F 41/14 ( 200 6.01) ,  C23F 1/16 ( 200 6.01) ,  H01L 21/308 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01F 41/14 ,  C23F 1/16 ,  H01L 21/308

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭54-024236
  
• 特開昭63-157309
  
• 特開平4-017674