特許
J-GLOBAL ID：201103058188163116
高耐電圧プレーナpn接合
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-239750
公開番号（公開出願番号）：特開平2-114646
特許番号：特許第2974696号
出願日： 1989年09月13日
公開日（公表日）： 1990年04月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1導電型にドープされた半導体板(1)の境界面(1a)にほぼ平行して拡がりかつこの半導体板に挿入された第2導電型の半導体区域(2)と、残りの半導体板部分とを分離し、多数のフィールド板(11ないし15)を半導体区域(2)の周縁区域に設け、これらのフィールド板を電気絶縁層(10)によって境界面(1a)から分離するとともにこの層の接触孔(17ないし19)の区域で半導体板に接触させた高耐電圧プレーナpn接合(4a、4b)において、最内部のフィールド板(11)と最外部のフィールド板(15)を除く残りのフィールド板(12ないし14)の少なくとも一部分において接触孔(17)の配置が次のように選定されていること、即ちそれぞれの孔のフィールド板の内部縁端(12a)からの間隔がフィールド板の外部縁端(12b)からの間隔に等しいか、それを下回るかあるいはそれを超過し、その際下回り又は超過の度合は接触孔(17)がなお内部縁端(12a)と外部縁端(12b)からはっきりした間隔を保つ程度に選ばれること、半導体区域(2)がフィールド板(11ないし15)の下に置かれたプレーナ形縁端終結部を持つ第2導電型の半導体領域(3)によって横方向に伸び、その区域のドーピング濃度は半導体領域(2)のそれよりも著しく低いこと、半導体領域(3)のドーピング濃度は横方向においてその大きさが変化し、その際接触孔(17)から内部縁端(12a)に向かって広がるフィールド板(12)の部分の下で局部的な最大(30)を示すことを特徴とする高耐高圧プレーナpn接合。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/861
H01L 29/72
, H01L 29/91 D
