半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：大岩増雄 , 児玉俊英 , 竹中岑生 , 村上啓吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-093930
公開番号（公開出願番号）：特開2011-228336
出願日： 2010年04月15日
公開日（公表日）： 2011年11月10日
要約：

【課題】高温動作しても信頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。【解決手段】半導体素子1が実装された回路面4fを有する回路基板4と、半導体素子1に接合された配線部材6または9と、線膨張係数が半導体素子1よりも配線部材の線膨張係数に近い材料(エポキシ樹脂やフィラ等)により構成され、半導体素子1と少なくとも配線部材の一部とを含んで回路面4fを封止する封止体12と、封止体12を構成する材料の弾性率よりも低い弾性率を有する材料(ポリイミド樹脂等)で構成され、半導体素子1と封止体12との間で、かつ、半導体素子1の少なくとも配線部材が接合された面1fを被覆する被覆膜13と、被覆膜13と封止体12との界面IfRをまたいで被覆膜13と封止体12との間に介在するフィラ14と、を備えるようにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子が実装された回路面を有する回路基板と、前記半導体素子に接合された配線部材と、線膨張係数が前記半導体素子よりも前記配線部材の線膨張係数に近い材料により構成され、前記半導体素子と少なくとも前記配線部材の一部とを含んで前記回路面を封止する封止体と、前記封止体を構成する材料の弾性率よりも低い弾性率を有する材料で構成され、前記半導体素子と前記封止体との間で、かつ、前記半導体素子の少なくとも前記配線部材が接合された面を被覆する被覆膜と、前記被覆膜と前記封止体との界面をまたいで前記被覆膜と前記封止体との間に介在するフィラと、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 21/56

FI (2件)：

H01L23/30 B , H01L21/56 R

Fターム (14件)：

4M109AA02 , 4M109BA03 , 4M109CA04 , 4M109EA02 , 4M109EA07 , 4M109EB06 , 4M109EB12 , 4M109EB14 , 4M109EE02 , 5F061AA02 , 5F061BA03 , 5F061CA04 , 5F061CB04 , 5F061CB12

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