特許

J-GLOBAL ID：201103058562278933

発光ダイオードおよびその製造方法

発明者： 河崎 孝彦 ,  青柳 秀和
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (3件)： 森 幸一 ,  吉井 正明 ,  山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-079283
公開番号（公開出願番号）：特開2011-211082
出願日： 2010年03月30日
公開日（公表日）： 2011年10月20日
要約：

【課題】発光層の面積を減少させることなく、点状または線状の光源を得ることができ、発光方向を制御することができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】p型半導体層11、発光層12およびn型半導体層13により発光ダイオード構造を形成する。p型半導体層11の発光層12と反対側の面にp側電極15を形成する。p型半導体層11、発光層12およびn型半導体層13の端面14に反射層16を形成する。n型半導体層13および反射層16上に中央部にピンホール17aを有するn側電極17を形成する。n側電極17上に集光レンズ18を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

発光ダイオード構造を形成する半導体層と、 上記半導体層の光取り出し面に設けられた第1の電極と、 上記半導体層の上記光取り出し面と反対側の面に設けられた第2の電極とを有し、 上記第1の電極側に点状または線状の光取り出し用開口が設けられている発光ダイオード。

IPC (2件)：

H01L 33/38 ,  H01L 33/10

FI (2件)：

H01L33/00 210 ,  H01L33/00 130

Fターム (7件)：

5F041AA06 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA93 ,  5F041CB11 ,  5F041CB15 ,  5F041EE11