光起電力装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鳥居洋
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-093117
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284612
特許番号：特許第4124309号
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に形成された透明電極上に、p型、i型、n型の半導体層、透明導電膜および裏面金属電極をこの順に形成する光起電力装置の製造方法であって、前記i型の半導体層上にn型非晶質Si層を形成し、次いで高水素希釈条件でn型微結晶シリコン層を形成した後に低水素希釈条件でn型微結晶シリコン層を形成することにより前記n型の半導体層を形成することを特徴とする光起電力装置の製造方法。

IPC (1件)：