特許
J-GLOBAL ID：201103058889267641
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-123103
公開番号（公開出願番号）：特開2011-166183
出願日： 2011年06月01日
公開日（公表日）： 2011年08月25日
要約：
【課題】ステルスダイシングを用いた半導体ウエハの切断処理において切断形状不良を低減または防止する【解決手段】ステルスダイシングにより半導体ウエハ1Wを分割する場合において、切断領域CRのテスト用のパッド1LBtやアライメントターゲットAmを切断領域CRの幅方向の片側に寄せて配置し、改質領域PRを形成するためのレーザ光をテスト用のパッド1LBtやアライメントターゲットAmから平面的に離れた位置に照射する。これにより、ステルスダイシングを用いた半導体ウエハの切断処理において切断形状不良を低減または防止することができる。【選択図】図12
請求項（抜粋）：
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法:
(a)表面および前記表面とは反対側の裏面を有する基板と、前記基板の前記表面に形成された層間絶縁膜と、前記基板の前記表面上に形成された第1チップ領域と、前記基板の前記表面上に形成され、かつ前記第1チップ領域の隣に配置された第2チップ領域と、前記基板の前記表面上に、かつ平面視において前記第1チップ領域と前記第2チップ領域との間に設けられた切断領域と、前記基板の前記表面上に形成され、かつ平面視において前記切断領域内に形成され、かつ平面視において前記第1チップ領域と前記第2チップ領域との間に配置された金属パターンと、を備えた半導体ウエハを準備する工程;
(b)前記工程(a)の後、平面視において前記第1チップ領域と前記金属パターンとの間で、かつ前記切断領域に沿ってレーザ光を照射することにより前記半導体ウエハの前記切断領域内に第1改質領域を形成し、平面視において前記第2チップ領域と前記金属パターンとの間で、かつ前記切断領域に沿ってレーザ光を照射することにより前記半導体ウエハの前記切断領域内に第2改質領域を形成する工程;
(c)前記工程(b)の後、平面視において前記第1改質領域と前記第2改質領域との間で、かつ前記切断領域に沿ってダイシングソーを走らせることにより前記金属パターン、前記層間絶縁膜および前記基板を除去する工程;
ここで、
前記層間絶縁膜は、配線層と、低誘電率膜とを有しており、
前記基板は、シリコンからなり、
前記低誘電率膜は、前記基板よりも脆く、
前記工程(b)では、平面視において、前記金属パターンと重ならない部分にレーザ光をそれぞれ照射し、
前記ダイシングソーの幅は、前記第1改質領域と前記第2改質領域との間隔よりも小さい。
IPC (2件)：
H01L 21/301
, H01L 21/304
H01L21/78 L
, H01L21/78 B
, H01L21/78 Q
, H01L21/304 631
, H01L21/304 622X
5F057AA05
, 5F057AA12
, 5F057BA15
, 5F057BB38
, 5F057CA14
, 5F057CA31
, 5F057DA11
, 5F057DA22
