積層型光電変換装置および積層型光電変換装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 酒井將行 , 荒川伸夫 , 佐々木眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-081885
公開番号（公開出願番号）：特開2011-216586
出願日： 2010年03月31日
公開日（公表日）： 2011年10月27日
要約：

【課題】優れた特性を有する積層型光電変換装置および積層型光電変換装置の製造方法を提供する。【解決手段】第1の光電変換ユニットと、第1の光電変換ユニット上に設けられた第1導電型半導体層を含む中間層と、中間層上に設けられた第2の光電変換ユニットと、を備え、第1導電型半導体層は第2導電型半導体層と接しており、第1導電型半導体層中の第1導電型不純物濃度が第2導電型半導体層中の第2導電型不純物濃度以上である積層型光電変換装置とその製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の光電変換ユニットと、前記第1の光電変換ユニット上に設けられた第1導電型半導体層を含む中間層と、前記中間層上に設けられた第2の光電変換ユニットと、を備え、前記第1導電型半導体層は、第2導電型半導体層と接しており、前記第1導電型半導体層中の第1導電型不純物濃度が、前記第2導電型半導体層中の第2導電型不純物濃度以上である、積層型光電変換装置。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 W

Fターム (26件)：

5F151AA04 , 5F151AA05 , 5F151BA12 , 5F151CA02 , 5F151CA03 , 5F151CA04 , 5F151CA07 , 5F151CA08 , 5F151CA09 , 5F151CA15 , 5F151CA35 , 5F151CA36 , 5F151CB12 , 5F151CB15 , 5F151DA04 , 5F151DA18 , 5F151FA02 , 5F151FA03 , 5F151FA04 , 5F151FA06 , 5F151FA13 , 5F151FA15 , 5F151FA18 , 5F151FA19 , 5F151FA23 , 5F151GA03

引用特許：

審査官引用 (6件)

積層型光電変換装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-279493 出願人：株式会社カネカ
多接合光電デバイスおよびその製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-231270 出願人：アモコ・コーポレイシヨン
特開昭64-059966

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