特許
J-GLOBAL ID：201103059330734882

半導体膜作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
張 宏勇

張 宏勇 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-144672
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015449
特許番号：特許第3708793号
出願日： 2000年05月17日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 所定の縦及び横の長さを有するガラス基板上に半導体膜を形成し、 発振器からレーザー光を発振させ、一組のシリンドリカル凹レンズとシリンドリカル凸レンズ、第1及び第2のフライアイレンズ、第1及び第2のシリンドリカル凸レンズの順に該レーザー光を通して、該レーザー光の断面を前記ガラス基板の横の長さよりも長くなるように第1の方向に拡張させると共に、焦点を有するレーザー光に加工した後、 前記レーザー光の焦点より前記ガラス基板に近い位置に配設されたシリンドリカルレンズにより、前記レーザー光の断面を前記第1の方向と直交する第2の方向に集束させ、 前記半導体膜に前記集束したレーザー光を照射する際、前記ガラス基板を前記第2の方向に移動させる方法であって、 前記一組のシリンドリカル凹レンズとシリンドリカル凸レンズによって前記レーザー光の断面は前記第2の方向に拡張され、その後前記第1及び第2のフライアイレンズによって前記レーザー光の断面における前記第1の方向及び前記第2の方向のエネルギー分布は前記半導体膜において矩形分布となることを特徴とする半導体膜作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01S 3/00
FI (4件)：
H01L 21/265 602 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 J ,  H01S 3/00 B
引用特許：
審査官引用 (27件)
  • 特開平1-283917
  • 特開平1-283917
  • 特開平4-171717
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