特許
J-GLOBAL ID:201103059402765982

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  谷田 拓男
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-037995
公開番号(公開出願番号):特開2001-230640
特許番号:特許第3728393号
出願日: 2000年02月16日
公開日(公表日): 2001年08月24日
請求項(抜粋):
【請求項1】 半導体チップと、 該半導体チップの入力側と出力側にそれぞれ設けられたインピーダンス変換回路と、 上記インピーダンス変換回路と上記半導体チップの間にそれぞれ設けられ、該インピーダンス変換回路の取り付け位置を固定する位置決め手段と を備え、上記インピーダンス変換回路としてMOSコンデンサを用い、上記位置決め手段として低誘電率基板を用い、該低誘電率基板を介して上記半導体チップと上記MOSコンデンサをワイヤーで接続したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H03F 3/60 ,  H01L 23/12 ,  H01P 5/08
FI (3件):
H03F 3/60 ,  H01L 23/12 301 Z ,  H01P 5/08 N
引用特許:
審査官引用 (9件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-065236   出願人:三菱電機株式会社
  • 特開昭64-047108
  • 高周波高出力トランジスタ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-019114   出願人:三菱電機株式会社
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