光半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-062891
公開番号（公開出願番号）：特開2011-198941
出願日： 2010年03月18日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：

【課題】光-電気変換の量子効率が高く、受光素子及び発光素子として、優れた実用性が得られる鉄シリサイド半導体薄膜を有する光半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に、スパッタ法、蒸着法又はレーザアブレーション法により粒径が10乃至100nmの微細多結晶からなる第1のβ-FeSi2層2を初期層として形成する。次いで、化学気相成長法又は気相エピタキシ法により初期層の結晶粒の横方向成長を促進しつつ第1のβ-FeSi2層2上に粒径が10乃至100μmの第2のβ-FeSi2層3を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上の全面に形成され粒径が10乃至100nmの微細多結晶からなる第1のβ-FeSi2層と、この第1のβ-FeSi2層を初期層としてその上に結晶粒の横方向成長を促進することにより形成され粒径が10乃至100μmの粗大多結晶からなる第2のβ-FeSi2層と、を有することを特徴とする光半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 31/10 , H01L 33/26 , H01L 21/363

FI (3件)：

H01L31/10 A , H01L33/00 180 , H01L21/363

Fターム (48件)：

5F041AA03 , 5F041CA02 , 5F041CA08 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA64 , 5F041CA65 , 5F041CB13 , 5F045AA04 , 5F045AB30 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AF01 , 5F045AF12 , 5F045CA09 , 5F045CA13 , 5F045DA52 , 5F045DA61 , 5F045DA63 , 5F049MA02 , 5F049MA05 , 5F049MB01 , 5F049MB12 , 5F049NA01 , 5F049PA03 , 5F049PA04 , 5F049PA06 , 5F049PA07 , 5F049PA08 , 5F049QA03 , 5F049RA06 , 5F049SS01 , 5F049SS03 , 5F049SZ03 , 5F103AA01 , 5F103AA08 , 5F103AA10 , 5F103DD30 , 5F103GG02 , 5F103HH03 , 5F103HH04 , 5F103LL01 , 5F103LL04 , 5F103RR05

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