特許
J-GLOBAL ID：201103059624207015
面発光型半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
藤島 洋一郎
, 三反崎 泰司
, 長谷部 政男
, 田名網 孝昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-014859
公開番号（公開出願番号）：特開2011-155087
出願日： 2010年01月26日
公開日（公表日）： 2011年08月11日
要約：
【課題】簡易な方法で、深さの異なる溝を高精度に形成し、レーザ光の偏光方向を一方向に安定化することが可能な面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】コンタクト層17に第1溝51を設けたのち、平面形状において一部が第1溝51に重なる第2溝52を形成する。第2溝52の第1溝51に重ならない部分52Bのエッチング深さを、積層方向において上部酸化可能層を含む上部第2DBRミラー層を貫通すると共に、下部酸化可能層を含む下部第2DBRミラー層に達しない深さとする。このとき、第2溝52の第1溝51に重なる部分52Aのエッチング深さは、第1溝51の深さ分だけ、第1溝51に重ならない部分52Bよりも大きくなり、積層方向において下部酸化可能層のうち少なくとも1層を貫通する深さとすることが可能となる。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
基板に、少なくとも1層の下部酸化可能層を含む下部多層膜反射鏡、発光領域を有する活性層、上部酸化可能層を含む上部多層膜反射鏡および上層をこの順に有する積層構造を形成する工程と、
前記上層に第1の溝を設ける工程と、
前記積層構造に、平面形状において前記第1の溝に重なる部分および前記第1の溝に重ならない部分を含む第2の溝を設ける工程と
を含む面発光型半導体レーザの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC35
, 5F173AC36
, 5F173AC42
, 5F173AC48
, 5F173AC52
, 5F173AG05
, 5F173AH02
, 5F173AP05
, 5F173AP33
, 5F173AP64
, 5F173AR42
