半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-269922
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094101
特許番号：特許第3679954号
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板に第1の間隔で離間して形成された複数の第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極からそれぞれ絶縁して前記半導体基板内に配置され、互いに接続された第1のソース領域と、前記第1の間隔より広い第2の間隔で前記第1のゲート電極の並び方向に離間して形成された第2のゲート電極と、前記第2のゲート電極から絶縁して前記半導体基板内に配置された第2のソース領域と、前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極との間に配置され、前記第1及び第2のソース領域に接続されたソースコンタクト部とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/78 652 M , H01L 29/78 652 S , H01L 29/78 653 A

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