特許

J-GLOBAL ID：201103059908266500

半導体素子の製造方法

発明者： ロベルタス アドリアヌス マリア ウォルテルス ,  ロサ マリア ヨハンナ フランシスカ ドーメルニカ ファン デル エルス
出願人/特許権者： エヌ ベー フィリップス フルーイランペンファブリケン
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外1名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-229450
公開番号（公開出願番号）：特開平2-113530
出願日： 1989年09月06日
公開日（公表日）： 1990年04月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体本体の表面上に存在するタングステンを充填した接点開口を備えた絶縁性酸化珪素上に形成したAl(Si,Cu)導体トラックのパターンを有する半導体素子を製造するに当り、1つの処理工程において、Al(Si)層を上記のタングステンを充填した接点開口を備えた絶縁性酸化珪素層上に堆積し、Al(Si,Cu)層をAl(Si)層上に堆積し、しかる後両方の層において、パターンをエッチングし、次にパターンを30〜60分にわたり400〜450°Cの温度で熱処理することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/285 301 M 7376-4M ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/88 M 8826-4M ,  H01L 29/78 301 P 7514-4M

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭56-083026