特許
J-GLOBAL ID:201103059955636641
光学積層体
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-180219
公開番号(公開出願番号):特開2011-031501
出願日: 2009年07月31日
公開日(公表日): 2011年02月17日
要約:
【課題】本発明の目的は、帯電防止性及び耐擦傷性に優れ、かつ面状が良好で、偏光板作成時の鹸化処理により帯電防止能が低下しない光学積層体を提供することである。さらに、本発明は、該光学積層体を用いた偏光板、及び該積層体又は該偏光板を用いた画像表示装置を提供することも目的とする。【解決手段】支持体上に、下記(A)〜(C)を含有する組成物を用いて形成される平均膜厚が0.03〜0.40μmの帯電防止層を有することを特徴とする光学積層体。 (A)π共役系導電性高分子とアニオン基を有する高分子ドーパントとを含む疎水化処理された導電性高分子組成物 (B)平均粒径が1〜300nmの無機微粒子 (C)電離放射線硬化性化合物【選択図】なし
請求項(抜粋):
支持体上に、下記(A)〜(C)を含有する組成物を用いて形成される平均膜厚が0.03〜0.40μmの帯電防止層を有することを特徴とする光学積層体。
(A)π共役系導電性高分子とアニオン基を有する高分子ドーパントとを含む疎水化処理された導電性高分子組成物
(B)平均粒径が1〜300nmの無機微粒子
(C)電離放射線硬化性化合物
IPC (5件):
B32B 27/18
, G02B 1/10
, G02B 5/30
, B32B 7/02
, G02F 1/133
FI (5件):
B32B27/18 Z
, G02B1/10 Z
, G02B5/30
, B32B7/02 104
, G02F1/1335
Fターム (94件):
2H149AA01
, 2H149AB00
, 2H149AB15
, 2H149BA02
, 2H149CA03
, 2H149CA04
, 2H149DA02
, 2H149EA02
, 2H149EA12
, 2H149EA22
, 2H149EA28
, 2H149FA02X
, 2H149FA03W
, 2H149FA08X
, 2H149FC03
, 2H149FC04
, 2H149FC06
, 2H191FA22X
, 2H191FA22Z
, 2H191FA30X
, 2H191FA30Z
, 2H191FA94X
, 2H191FA94Z
, 2H191FA95X
, 2H191FA95Z
, 2H191FB02
, 2H191FB22
, 2H191FB23
, 2H191FC13
, 2H191FC32
, 2H191FC33
, 2H191FD09
, 2H191FD35
, 2H191HA06
, 2H191HA08
, 2H191HA09
, 2H191HA11
, 2H191HA13
, 2H191LA02
, 2H191LA03
, 2H191LA07
, 2H191LA24
, 2K009AA12
, 2K009AA15
, 2K009BB13
, 2K009BB24
, 2K009BB28
, 2K009CC09
, 2K009CC21
, 2K009CC24
, 2K009CC26
, 2K009DD02
, 2K009DD05
, 2K009EE03
, 4F100AA01B
, 4F100AH06B
, 4F100AJ05
, 4F100AK01B
, 4F100AK01C
, 4F100AK17B
, 4F100AK25B
, 4F100AK41
, 4F100AK80B
, 4F100AR00D
, 4F100AR00E
, 4F100AT00A
, 4F100BA05
, 4F100BA07
, 4F100BA10B
, 4F100BA10E
, 4F100DD06C
, 4F100DE01B
, 4F100DE01C
, 4F100EH46
, 4F100EJ54
, 4F100EJ86
, 4F100GB41
, 4F100JB06B
, 4F100JB12B
, 4F100JD06B
, 4F100JG01B
, 4F100JG03B
, 4F100JG04
, 4F100JG05B
, 4F100JK09
, 4F100JK12
, 4F100JL05E
, 4F100JL06B
, 4F100JN01C
, 4F100JN06C
, 4F100JN10D
, 4F100JN18B
, 4F100JN30C
, 4F100JN30E
引用特許:
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