特許
J-GLOBAL ID：201103059958600486
混成集積回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
岡田 敬
, 須藤 克彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-172531
公開番号（公開出願番号）：特開2001-352034
特許番号：特許第3679687号
出願日： 2000年06月08日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数の導電パターンから成る配線層を有する実装基板上に、小信号系の半導体素子が内蔵された半導体装置および、大信号系の半導体素子のベアチップが実装され、前記半導体装置の下方に前記配線層が延在する混成集積回路装置において、 前記半導体装置は複数の導電路を有し、該導電路に前記小信号系の半導体素子を固着し、前記小信号系の半導体装置の電極と他の前記導電路とをすべて金の金属細線で接続し、前記導電路の裏面のみを露出して全体を被覆する絶縁性樹脂と、前記導電路の一部が露出するように前記絶縁性樹脂の一面に被着された絶縁被膜と、前記絶縁被膜から露出した前記導電路と前記実装基板とを電気的に接続するコンタクト部とを備え、 前記大信号系の半導体素子は前記配線層のダイパッドに固着され、前記大信号系の半導体素子の電極と前記配線層のボンディングパッドとはすべてアルミニウムの金属細線で接続され、 前記半導体装置の前記導電路と前記導電パターンとは前記絶縁被膜を介して多層構造を形成し、前記アルミニウムの金属細線は前記導電パターンと交差して多層構造を形成することを特徴とする混成集積回路装置。
IPC (4件)：
H01L 25/04
, H01L 21/60
, H01L 23/12
, H01L 25/18
H01L 25/04 Z
, H01L 21/60 301 A
, H01L 23/12 Q
