特許

J-GLOBAL ID：201103060088700666

多層ポリサイド構造を保護するための高融点金属シリサイド被覆

発明者： フー-タイ リュー ,  ロバート オーチス ミラー
出願人/特許権者： エスジーエス トムソン マイクロエレクトロニクス インク.
代理人 (1件)： 越場 隆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-089281
公開番号（公開出願番号）：特開平2-288336
特許番号：特許第3105508号
出願日： 1989年04月07日
公開日（公表日）： 1990年11月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】(a)基板(10)上に多結晶シリコン層(16)を形成し、(b)この多結晶シリコン層上にこの多結晶シリコン層と同形のケイ化チタン層(22)を形成し、(c)このケイ化チタン層上にケイ化チタンより化学的に安定で且つより高い耐酸化性を有し且つケイ化チタン層と同形である高融点金属シリサイド層(20)を形成し、次いで、基板をパターニングし、エッチングして導電構造体を形成する工程を有する、半導体基板上に導電構造を形成する方法において、上記工程(b)を下記(1)および(2):(1)多結晶シリコン層(16)上にチタン層を形成し、ケイ化チタンが形成されない条件下でチタンと多結晶シリコンとの反応温度より僅かに低い第1温度でアニールし、次いで、(2)チタンと多結晶シリコンとが反応してケイ化チタンが形成されるのに十分な第2温度に加熱するの2つのステップで行うことを特徴とする方法。

IPC (7件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/263 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/78

FI (9件)：

H01L 21/28 A ,  H01L 21/263 Z ,  H01L 21/28 301 D ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 21/88 R ,  H01L 29/46 T ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭60-192371
  
• 特開昭63-079617
  
• 特開昭64-017470
  
• 特開昭63-012152
  
• 特開昭62-249416