半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂上正明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084289
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277718
特許番号：特許第3325536号
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板内に形成した埋込絶縁層によって、素子の形成される主面部分を絶縁分離したSOI型半導体集積回路装置において、前記半導体基板に埋込絶縁層を形成しない領域を設け、この領域にダイオード型フォトセンサーが形成せれており、前記ダイオード型フォトセンサーは、半導体基板内に形成したトレンチと、該トレンチ側壁および底部に設けた拡散層と、前記半導体基板に埋込絶縁層を形成しない領域と、から成り、前記トレンチ内部は、絶縁膜と、電位を与えられる多結晶シリコンと、から形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (1件)：