特許
J-GLOBAL ID：201103060308597748
薄膜トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外7名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-069108
公開番号（公開出願番号）：特開平2-010873
特許番号：特許第2507031号
出願日： 1989年03月20日
公開日（公表日）： 1990年01月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基体と、該基体上のゲート電極と、該ゲート電極上のゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上のストライプ形状のソース電極と、前記ゲート絶縁膜上に設けられて、前記ソース電極を取り巻く半導体層と、前記半導体層上に設けられたドレイン電極とを備えて成り、前記ソース電極は、前記ゲート電極側の面において界面を形成する界面形成層と前記ドレイン電極側において前記半導体層に対する障壁を形成する障壁形成層とから構成され、前記ソース電極層と前記ドレイン電極層との間の電流通路の長さは、前記ソース電極の界面形成層と前記ゲート絶縁膜とに隣接する半導体層を前記界面とほぼ平行の方向に外方へ延びる第1の通路部分と、前記ゲート絶縁膜から前記ドレイン電極に至る前記半導体層の厚さによって長さが確定される第2の通路部分とによって形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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