特許
J-GLOBAL ID:201103060507111765

被覆ダイヤモンド、その製造方法およびその複合材料

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  伊藤 英彦 ,  甲田 一幸
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-525016
特許番号:特許第4663191号
出願日: 2000年09月21日
請求項(抜粋):
【請求項1】 ダイヤモンド(1)と、 前記ダイヤモンドを被覆するSiCを主成分とする膜(2)とを備え、 前記SiCは実質的にβ-SiCからなり、前記SiCを主成分とする膜において、SiCの面指数(220)のピーク強度I(220)と、面指数(111)のピーク強度I(111)との比であるI(220)/I(111)の値が0.38以上0.55以下であり、 前記SiCを主成分とする膜(2)が、0.1μm超え0.3μm以下の厚さを有し、実質的に等軸粒からなる、被覆ダイヤモンド。
IPC (3件):
C30B 29/04 ( 200 6.01) ,  C04B 35/52 ( 200 6.01) ,  B23B 27/14 ( 200 6.01)
FI (3件):
C30B 29/04 W ,  C04B 35/52 301 B ,  B23B 27/14 B
引用特許:
審査官引用 (2件)

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