特許

J-GLOBAL ID：201103060727184542

酸化還元電位測定用電極

発明者： 桑田 茂樹 ,  中山 享
出願人/特許権者： 独立行政法人国立高等専門学校機構
代理人 (1件)： 藤井 淳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-005630
公開番号（公開出願番号）：特開2011-145144
出願日： 2010年01月14日
公開日（公表日）： 2011年07月28日
要約：

【課題】過酷な測定条件下でも良好な耐久性を発揮するとともに、従来技術よりも簡便な構成を有する酸化還元電位測定用の電極を提供する。【解決手段】1)基材、2)基材表面上の一部又は全部に形成された第1被覆層及び3)第1被覆層表面上の一部又は全部に形成された第2被覆層を含む電極であって、(1)基材が銀を含み、(2)第1被覆層が塩化銀を含み、(3)第2被覆層が、プロトン伝導性材料を含む、ことを特徴とする酸化還元電位測定用電極に係る。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

1)基材、2)基材表面上の一部又は全部に形成された第1被覆層及び3)第1被覆層表面上の一部又は全部に形成された第2被覆層を含む電極であって、 (1)基材が銀を含み、 (2)第1被覆層が塩化銀を含み、 (3)第2被覆層がプロトン伝導性材料を含む、 ことを特徴とする酸化還元電位測定用電極。

IPC (4件)：

G01N 27/30 ,  H01M 10/48 ,  G01N 27/416 ,  C23C 30/00

FI (4件)：

G01N27/30 311Z ,  H01M10/48 P ,  G01N27/46 Z ,  C23C30/00 C

Fターム (11件)：

4K044AA06 ,  4K044AB04 ,  4K044BA12 ,  4K044BA20 ,  4K044BA21 ,  4K044BB03 ,  4K044BC14 ,  5H030AA09 ,  5H030AS20 ,  5H030FF43 ,  5H030FF44