特許
J-GLOBAL ID:201103060896835528
窒化物薄膜作製方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
長谷川 芳樹
, 塩田 辰也
, 寺崎 史朗
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-041984
公開番号(公開出願番号):特開2002-241930
特許番号:特許第4619554号
出願日: 2001年02月19日
公開日(公表日): 2002年08月28日
請求項(抜粋):
【請求項1】 るつぼ内に窒化物薄膜作製用金属ターゲット材を充填し、レーザアブレーションにより蒸散させて、基板に窒化物の薄膜を作製する窒化物薄膜作製方法において、
前記るつぼの表面を、前記金属ターゲット材の充填前に窒化処理することを特徴とする窒化物薄膜作製方法。
IPC (3件):
C23C 14/28 ( 200 6.01)
, C23C 14/06 ( 200 6.01)
, C23C 14/24 ( 200 6.01)
FI (3件):
C23C 14/28
, C23C 14/06 A
, C23C 14/24 A
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開平4-311561
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特開平3-013566
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特開昭51-141799
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