特許

J-GLOBAL ID：201103061064266732

薄膜トランジスタ

発明者： 劉 ▲カイ▼ ,  馮 辰 ,  姜 開利 ,  劉 亮 ,  ▲ハン▼ 守善
出願人/特許権者： ツィンファ ユニバーシティ ,  鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司
代理人 (4件)： 村山 靖彦 ,  志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-181407
公開番号（公開出願番号）：特開2011-040756
出願日： 2010年08月13日
公開日（公表日）： 2011年02月24日
要約：

【課題】本発明は、薄膜トランジスタに関する。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、前記ソース電極と分離して設置されるドレイン電極と、半導体層と、絶縁層と、ゲート電極を含む。前記半導体層が、前記ソース電極と、前記ドレイン電極とに電気的に接続され、前記ゲート電極が、前記絶縁層により、前記半導体層と、前記ソース電極と、前記ドレイン電極と絶縁状態で設置され、前記ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とは、それぞれカーボンナノチューブ-金属複合材料体からなる。前記カーボンナノチューブ-金属複合材料体は、カーボンナノチューブ構造体と、前記カーボンナノチューブ構造体に被覆された金属層とを含む。前記カーボンナノチューブ構造体は、複数のカーボンナノチューブのみからなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ソース電極と、 前記ソース電極と分離して設置されるドレイン電極と、 半導体層と、 絶縁層と、 ゲート電極と、 を含む薄膜トランジスタにおいて、 前記半導体層が、前記ソース電極と、前記ドレイン電極とに電気的に接続され、 前記ゲート電極が、前記絶縁層により、前記半導体層と、前記ソース電極と、前記ドレイン電極と絶縁状態で設置され、 前記ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とは、それぞれカーボンナノチューブ-金属複合材料体からなり、 前記カーボンナノチューブ-金属複合材料体は、カーボンナノチューブ構造体と、前記カーボンナノチューブ構造体に被覆された金属層とを含み、 前記カーボンナノチューブ構造体は、複数のカーボンナノチューブのみからなることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/28

FI (8件)：

H01L29/78 617M ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250Z ,  H01L29/58 G ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301Z

Fターム (33件)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  5F110AA03 ,  5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-009871   出願人：東レ株式会社
• 金属/金属化合物被覆カーボンナノファイバー及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-316206   出願人：日機装株式会社