特許
J-GLOBAL ID：201103061100016950
ブロッホラインメモリデバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池浦 敏明 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-237899
公開番号（公開出願番号）：特開平3-100989
特許番号：特許第2849724号
出願日： 1989年09月13日
公開日（公表日）： 1991年04月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】垂直ブロッホライン対(VBL対)を記憶信号として用いるブロッホラインメモリデバイスにおいて、信号記録をになう磁性層上に信号読み出し用コンダクタが設けられ、更に、その信号読み出し部上部に、VBL対を含む磁壁内のブロッホ磁壁部の磁化方向と平行又は反平行方向の磁界を発生させるVBL制御用コンダクタが設けられていることを特徴とするブロッホラインメモリデバイス。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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