特許

J-GLOBAL ID：201103061242365413

半導体原料の処理法

発明者： マットホイス シャンツ ,  ディルク フロットマン
出願人/特許権者： ワツカー-ケミー ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-212481
公開番号（公開出願番号）：特開2000-079350
特許番号：特許第3180910号
出願日： 1999年07月27日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 エネルギー変換器で発生させた1つ以上の衝撃波を液体媒体中で、ロッド状の半導体原料に伝えることによる半導体原料の処理法において、エネルギー変換器が半導体原料から1cm〜100cmの距離を有し、かつ衝撃波が1〜20kJのパルスエネルギー及び1〜5μsのエネルギー最大値までのパルス立ち上がり時間を有することを特徴とする、半導体原料の処理法。

IPC (2件)：

B02C 19/00 ,  C30B 29/06

FI (2件)：

B02C 19/00 Z ,  C30B 29/06 D