特許

J-GLOBAL ID：201103061266234743

不揮発性記憶装置

発明者： 清利 正弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-159167
公開番号（公開出願番号）：特開2011-014796
出願日： 2009年07月03日
公開日（公表日）： 2011年01月20日
要約：

【課題】第1の配線と第2の配線との交差部に整流層と不揮発性記憶層を有する不揮発性記憶装置で、整流層としてPINダイオードを用いる場合に比して厚さを抑え、整流層のダイオード特性を一様に揃えることができる不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】第1の方向に延在するワード線WLと、ワード線WLとは異なる高さに形成され、第2の方向に延在するビット線BLと、ワード線WLとビット線BLとが交差する位置にワード線WLとビット線BLの間に挟持されるように配置される、抵抗変化素子10と整流素子20とを含むメモリセルMCと、を備え、整流素子20は、逆方向電極21、シリコン窒化膜22を含む絶縁膜、金属酸化物半導体からなる金属酸化膜23、および順方向電極24の積層構造を有する。【選択図】図1-2

請求項（抜粋）：

第1の方向に延在する第1の配線と、 前記第1の配線とは異なる高さに形成され、第2の方向に延在する第2の配線と、 前記第1の配線と前記第2の配線とが交差する位置に前記第1の配線と前記第2の配線の間に挟持されるように配置される、不揮発性記憶素子と整流素子とを含む不揮発性メモリセルと、 を備え、 前記整流素子は、第1の電極、シリコン窒化膜を含む絶縁膜、金属酸化物半導体からなる金属酸化膜、および第2の電極の積層構造を有することを特徴とする不揮発性記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 49/02 ,  H01L 27/105

FI (5件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L49/02 ,  H01L27/10 448

Fターム (10件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR40