イオン注入方法及びその装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-284604
公開番号（公開出願番号）：特開平2-263435
特許番号：特許第2592966号
出願日： 1989年10月30日
公開日（公表日）： 1990年10月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】試料室に搬送されたシリコン半導体基板内に、所定の不純物イオンを含有するイオンビームを照射し、低温でアニールすることによって、シリコン半導体基板の不純物濃度よりも高濃度の不純物イオン注入層を形成した半導体集積回路装置を製造する際に、イオンビームの加速エネルギを段階的に低下させて照射し、かつ少なくとも加速エネルギを段階的に低下させる際に、イオンビームの半導体基板への照射を完全に遮断するとともに試料室をその他の真空系から隔離してイオン注入時の真空度を確保しつつ、半導体基板の表面がアニールを起こさないように温度上昇を低く抑え、それによって実質的に点欠陥と島状非晶質層が連続した非晶質層の連続層として分布するシリコン半導体基板の不純物濃度よりも高濃度の不純物イオン注入層を形成することからなるイオン注入方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 , H01J 37/317

FI (3件)：

H01L 21/265 D , H01J 37/317 C , H01L 21/265 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭62-026867
特開昭57-138132
特開昭60-193249

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