特許
J-GLOBAL ID：201103061314165210
高周波半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-208188
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035967
特許番号：特許第3987659号
出願日： 1999年07月22日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】誘電体基板の上面に高周波半導体素子を収容する凹部を有し、該凹部の開口周辺に線路導体が形成されるとともに、下面および前記凹部底面に接地導体が形成された配線基板と、該配線基板上に前記凹部の開口を覆うように取着され、下面周辺部に形成された接続電極が前記線路導体に当接接続された実装用配線基板と、該実装用配線基板の下面に形成された実装電極に導体バンプを介して電気的に接続された高周波半導体素子とを具備する高周波半導体装置であって、前記実装用配線基板は、前記凹部の開口寸法より大きく、かつ前記誘電体基板より比誘電率が大きい主誘電体層と、その下面に積層された前記開口寸法より小さく、かつ前記主誘電体層より比誘電率が小さい副誘電体層と、前記主誘電体層の下面周辺部に形成された前記接続電極から前記主誘電体層および前記副誘電体層間にかけて形成された実装用線路導体と、該実装用線路導体を前記副誘電体層の下面に形成された前記実装電極に電気的に接続する貫通導体とから成ることを特徴とする高周波半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12 ( 200 6.01)
, H01L 25/04 ( 200 6.01)
, H01L 25/18 ( 200 6.01)
H01L 23/12 301 Z
, H01L 25/04 Z
