特許

J-GLOBAL ID：201103061573019817

電界効果型半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  篠原 久人
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-168649
公開番号（公開出願番号）：特開平3-034459
特許番号：特許第2791420号
出願日： 1989年06月30日
公開日（公表日）： 1991年02月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上にアモルファスの第1の半導体層を形成する工程と、前記第1の半導体層の少なくとも一部に対し、高エネルギーを有する光を照射し禁制帯幅の狭い多結晶半導体層を形成する工程と、前記多結晶半導体層上に禁制体幅の広い第2の半導体層を形成する工程と、前記多結晶半導体層の一部の上方に前記第2の半導体層を介してゲイト絶縁膜を形成する工程と、前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成する工程と、前記ゲイト絶縁膜および前記ゲイト電極をマスクとして不純物イオンを注入することにより、第2の半導体層中にソース領域およびドレイン領域を形成する工程と、前記ソース領域および前記ドレイン領域を多結晶化する工程とを有することを特徴とする電界効果型半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 618 E ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-109283
  
• 特開昭62-035571
  
• 特開昭62-254467