特許
J-GLOBAL ID：201103061833612908
積層セラミック電子部品
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小柴 雅昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-342773
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142331
特許番号：特許第3994719号
出願日： 2001年11月08日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 積層された複数の誘電体セラミック層と、誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成される内部電極とを含む、積層体を備え、
誘電体セラミック層の組成は、
ABO3 (Aは、Ba、またはBaならびにその一部が置換されたCaおよびSrの少なくとも1種であり、Bは、Ti、またはTiならびにその一部が置換されたZrおよびHfの少なくとも1種である。)を主成分とし、
副成分として、2種類の希土類元素R1およびR2(希土類元素R1は、Sm、Y、Gd、DyおよびHoから選ばれた少なくとも1種であり、希土類元素R2は、Er、Tm、YbおよびLuから選ばれた少なくとも1種である。)を含み、
希土類元素R1のイオン半径をr1とし、希土類元素R2のイオン半径をr2としたとき、r1>r2であり、
希土類元素R1の濃度をM1とし、希土類元素R2の濃度をM2としたとき、誘電体セラミック層の厚み方向中央部である誘電体セラミック層中央部では、M1/M2>1であり、内部電極と誘電体セラミック層との界面から誘電体セラミック層側へ誘電体セラミック層の厚みの1/5だけ入り込んだ箇所である内部電極近傍では、M1/M2<1であり、
誘電体セラミック層中央部における(M1+M2)/内部電極近傍における(M1+M2)は、(1/2)〜2である、
積層セラミック電子部品。
IPC (2件)：
H01G 4/12 ( 200 6.01)
, C04B 35/46 ( 200 6.01)
H01G 4/12 358
, H01G 4/12 361
, C04B 35/46 D
