特許

J-GLOBAL ID：201103061849168129

半導体レーザ

発明者： 加藤 隆志 ,  塩崎 学 ,  佐藤 俊哉 ,  山本 文彦
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社 ,  日本電信電話株式会社
代理人 (5件)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  鈴木 守
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-233438
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050827
特許番号：特許第3667209号
出願日： 2000年08月01日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 0.8μm帯、0.9μm帯、1.3μm帯又は1.5μm帯のいずれかにおいて発光する半導体レーザであって、 活性領域を挟んで対向する光反射面と光射出面が形成された半導体光増幅素子と、 前記半導体光増幅素子の光射出面と光結合されると共に、所定の反射スペクトルを有するブラッグ回折格子が内部に形成された光導波路と、 を備え、 前記光射出面における光反射率は、前記光射出面と前記ブラッグ回折格子との光結合効率をη、前記ブラッグ回折格子の最大反射率をRfgとした場合に、 Re=η2×Rfg によって定められる値Reより小さく、 前記ブラッグ回折格子の反射スペクトルの半値全幅が、前記光反射面と前記ブラッグ回折格子とによって定められる光共振器に係る縦モード間隔の6倍以上11倍以下であることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 5/14 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/42

FI (4件)：

H01S 5/14 ,  G02B 6/42 ,  G02B 6/12 A ,  G02B 6/12 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ファイバ回折格子安定化ダイオードレーザ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-502682   出願人：エスディーエルインク.