特許

J-GLOBAL ID：201103061892654142

半導体装置およびその製造方法

発明者： 井上 和範
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 西教 圭一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-174621
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007351
特許番号：特許第3453325号
出願日： 1999年06月21日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 シリコンを含む半導体材料から成る半導体層と、シリコンを含有する導電性材料から成り、半導体層とショットキー接合するショットキー接合用部品とを含み、前記ショットキー接合用部品は、シリコンを含有する導電性材料の薄膜を半導体層表面に成膜する第1工程と、成膜された薄膜の一部分を除去する第2工程とによって形成され、前記薄膜は、半導体層表面の薄膜が除去された領域にシリコン粒が均一に残るように、シリコン粒を含有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/47 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/93 ,  C23C 14/35

FI (5件)：

H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01L 29/93 S ,  C23C 14/35 Z ,  H01L 29/48 M