半導体シリコン基板の抵抗率測定方法、半導体シリコン基板の導電型判定方法、及び半導体シリコン基板の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅原正倫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-263224
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076080
特許番号：特許第4600707号
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】四探針法により半導体シリコン基板の抵抗率を測定する方法において、シリコン単結晶棒の一部から切り出された半導体シリコン基板の抵抗率の被測定面を化学エッチ面として抵抗率を事前に測定し、その測定値が5000Ω・cmを超える場合には化学エッチ面を被測定面とし、5000Ω・cm以下の場合には化学エッチ面又は平面研削面を被測定面として、前記シリコン単結晶棒の他の部分から切り出された半導体シリコン基板の抵抗率を、前記抵抗率に代わる真の抵抗率として測定することを特徴とする半導体シリコン基板の抵抗率測定方法。

IPC (2件)：