特許
J-GLOBAL ID：201103062083733089
熱電変換モジュールの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安藤 淳二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-315503
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124707
特許番号：特許第3918424号
出願日： 2000年10月16日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 接合面である端部に金属膜を有する一対以上のP型及びN型ビスマス-アンチモン-テルル-セレン系熱電素子を、対向面に電極が形成された一対の絶縁基板で挟持して、前記電極と前記熱電素子が半田を介して接合することにより、前記電極と前記熱電素子とが電気的に直列になるようになした熱電変換モジュールの製造方法において、熱電半導体の表面にプラズマ処理後、スパッタリング又は蒸着にて半田拡散防止層を形成した後、半田拡散防止層の上に半田濡れ性向上層を形成し、半田濡れ性向上層の表面を防錆処理した後、前記熱電半導体を切断することで、端部に金属膜を有する前記熱電素子を得ることを特徴とする熱電変換モジュールの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 35/34 ( 200 6.01)
, H01L 35/16 ( 200 6.01)
, H01L 35/32 ( 200 6.01)
H01L 35/34
, H01L 35/16
, H01L 35/32 A
