半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：油井透 , 阿仁屋節雄 , 清野仁 , 福岡昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-154278
公開番号（公開出願番号）：特開2011-068984
出願日： 2010年07月06日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：

【課題】導電膜もしくは絶縁膜を効率的に除去する半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】処理室内に基板を搬入する第1の工程と、処理室内に複数の原料ガスを供給して基板上に導電膜もしくは絶縁膜を形成する第2の工程と、処理室内から処理後の基板を搬出する第3の工程と、処理室内に改質ガスを供給して、処理室内に付着した導電膜もしくは絶縁膜を改質する第4の工程と、を1サイクルとして複数サイクル繰り返した後、処理室内にクリーニングガスを供給して、改質された導電膜もしくは絶縁膜を含む処理室内に付着した堆積物を除去する第5の工程と、を有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

処理室内に基板を搬入する第1の工程と、前記処理室内に複数の原料ガスを供給して前記基板上に導電膜もしくは絶縁膜を形成する第2の工程と、前記処理室内から処理後の前記基板を搬出する第3の工程と、前記処理室内に改質ガスを供給して、前記処理室内に付着した導電膜もしくは絶縁膜を改質する第4の工程と、を1サイクルとして複数サイクル繰り返した後、前記処理室内にクリーニングガスを供給して、改質された前記導電膜もしくは前記絶縁膜を含む前記処理室内に付着した堆積物を除去する第5の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 16/44 , H01L 21/318 , H01L 21/31

FI (3件)：

C23C16/44 J , H01L21/318 B , H01L21/31 B

Fターム (49件)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA16 , 4K030AA18 , 4K030BA02 , 4K030BA38 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA06 , 4K030FA10 , 4K030GA04 , 4K030GA06 , 4K030GA12 , 4K030HA01 , 4K030KA04 , 4K030LA15 , 5F045AA04 , 5F045AA06 , 5F045AB09 , 5F045AC08 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD07 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045DQ05 , 5F045EB06 , 5F045EE01 , 5F045EF03 , 5F045EF09 , 5F045EK06 , 5F045HA16 , 5F058BA20 , 5F058BC07 , 5F058BC08 , 5F058BC09 , 5F058BD09 , 5F058BD10 , 5F058BD12 , 5F058BF04 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF30 , 5F058BH12

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