特許
J-GLOBAL ID：201103062800788837
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-011709
公開番号（公開出願番号）：特開2011-082576
出願日： 2011年01月24日
公開日（公表日）： 2011年04月21日
要約：
【課題】配線基板上に搭載した複数の半導体チップを樹脂封止した後、配線基板を分割することによって複数の樹脂封止型半導体装置を得る製造方法において、樹脂の収縮などによる配線基板の反りを抑制する。【解決手段】マトリクス基板1Bの上面に搭載した複数の半導体チップを樹脂14で封止する際、複数のキャビティを備えた金型を使用して樹脂14を複数のブロックに分割することにより、モールド工程後の樹脂14の収縮などによるマトリクス基板1Bの反りを抑制する。【選択図】図12
請求項（抜粋）：
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法:
(a)上面、前記上面に設けられた複数の半導体チップ搭載領域、および前記上面とは反対側の下面を有する配線基板を準備する工程;
(b)前記(a)工程の後、複数の半導体チップを前記複数の半導体チップ搭載領域に、それぞれ搭載する工程;
(c)前記(b)工程の後、前記複数の半導体チップのうちの複数の第1半導体チップが第1キャビティ内に位置し、かつ、前記複数の半導体チップのうちの複数の第2半導体チップが第2キャビティ内に位置するように、前記配線基板を第1金型と第2金型との間に配置し、前記第1および第2キャビティ内のそれぞれに樹脂を供給することで前記複数の半導体チップを樹脂で封止し、前記複数の第1半導体チップを封止する第1樹脂ブロックと前記複数の第2半導体チップを封止する第2樹脂ブロックを形成する工程。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/56 T
, H01L23/12 501W
5F061AA01
, 5F061BA04
, 5F061CA21
, 5F061DA06
