粒子ビームリソグラフィ系においてワークと真空シール装置との間の固定されたギャップをプリセレクトし、かつ保持するための装置および粒子ビームリソグラフィ系においてワーク表面を配向する方法;; 粒子ビームリソグラフィ系においてワークと真空シール装置との間の固定されたギャップをプリセレクトし、かつ保持するための装置および粒子ビームリソグラフィ系においてワーク表面を配向する方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-002981
公開番号（公開出願番号）：特開平2-003219
特許番号：特許第2823576号
出願日： 1989年01月11日
公開日（公表日）： 1990年01月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体ウエハまたはマスク(14)を加工するための粒子ビームリソグラフィ系(10)であって、粒子ビーム源と、粒子ビームを発生し、かつ加工ビームとして孔(38)を通して上記のワーク表面上へ導くための装置(12)とを備えており、上記の孔(38)が上記ワークの表面の一部のみを真空内で保持するための装置(16)の部分を形成している形式のものにおいて、ワーク表面の、孔に対して相対的な向きと位置および孔からの距離を決める装置(64,100,162,114)が、孔からの所定距離の所で保持されたX-Yステージ(50)上のプレート装置(64)と、プレート装置とは独立に孔に対して相対的に位置決め可能である、プレート装置内のワーク(14)を保持するためのチャック装置(100)と、ワーク(14)およびチャック(100)を孔(38)に対して相対的に配向し、かつ位置決めするために操作可能なギャップセット装置(162)と、ギャップセット装置によって配向及び位置決めの後チャック装置(100)をプレート装置(64)内でロックする装置(114)とを備えており、ワーク(14)がプレート装置(64)内で配向され、かつ位置決めされるときにプレート装置(64)およびX-Yステージ(50)が孔(38)に対して相対的に連続的に保持されるように構成されていることを特徴とする、半導体ウエハまたはマスクを加工するための粒子ビームリソグラフィ系。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 504 , G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 541 L , G03F 7/20 504 , G03F 7/20 521

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