特許

J-GLOBAL ID：201103063083187676

圧電デバイスの製造方法

発明者： 高桑 敦司
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-246206
公開番号（公開出願番号）：特開2011-096706
出願日： 2009年10月27日
公開日（公表日）： 2011年05月12日
要約：

【課題】欠陥が少なく信頼性の高い圧電デバイスを製造できる圧電デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】第1導電層20と、第2導電層40と、第1導電層20と第2導電層40とに挟まれた圧電層30とを含む圧電素子100を有する圧電デバイス1の製造方法であって、第1導電層20及び第2導電層40の少なくとも一方の導電層を形成する導電層形成工程と、導電層形成工程で形成された導電層の形状の異常を検出する導電層検出工程と、導電層検出工程で異常が検出された場合に、異常を修復する導電層修復工程と、を含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1導電層と、第2導電層と、前記第1導電層と前記第2導電層とに挟まれた圧電層とを含む圧電素子を有する圧電デバイスの製造方法であって、 前記第1導電層及び前記第2導電層の少なくとも一方の導電層を形成する導電層形成工程と、 前記導電層形成工程で形成された前記導電層の形状の異常を検出する導電層検出工程と、 前記導電層検出工程で前記異常が検出された場合に、前記異常を修復する導電層修復工程と、 を含む、圧電デバイスの製造方法。

IPC (8件)：

H01L 41/22 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24 ,  H01L 41/113 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/08 ,  H03H 3/02 ,  G01P 15/09

FI (9件)：

H01L41/22 Z ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 A ,  H01L41/18 101A ,  H01L41/08 G ,  H01L41/08 L ,  H01L41/08 Z ,  H03H3/02 C ,  G01P15/09 Z

Fターム (8件)：

5J108BB02 ,  5J108BB04 ,  5J108CC11 ,  5J108EE03 ,  5J108EE07 ,  5J108FF05 ,  5J108KK01 ,  5J108MM11