特許

J-GLOBAL ID：201103063262343222

単結晶体の製造方法

発明者： 上山 大輔 ,  大迫 良人
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-177738
公開番号（公開出願番号）：特開2011-032112
出願日： 2009年07月30日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：

【課題】 ピットの発生が抑制され、バルク状でかつ結晶性の高い単結晶体の製造方法を提供する。 【解決手段】 単結晶体の製造方法は、種基板の上面であって、中心から周縁にかけて設けられた平面部と該平面部の周囲を囲むように周縁に設けられた傾斜部とを有する前記上面のうち、前記傾斜部上にマスクを設ける工程1と、前記工程1の後、気相成長法によって前記種基板上に単結晶のホモエピタキシャル成長を行う工程2と、を具備する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

種基板の上面であって、中心から周縁にかけて設けられた平面部と該平面部の周囲を囲むように周縁に設けられ、前記平面部の面に対して傾斜した傾斜部とを有する前記上面のうち、前記傾斜部上にマスクを設ける工程1と、 前記工程1の後、気相成長法によって前記種基板上に単結晶のホモエピタキシャル成長を行う工程2と、 を具備する単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/04 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/04 ,  H01L21/205

Fターム (30件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077ED01 ,  4G077ED04 ,  4G077EE07 ,  4G077EG03 ,  4G077EG04 ,  4G077EG11 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA12 ,  4G077TB02 ,  4G077TF03 ,  4G077TF04 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK08 ,  5F045AA01 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045DP02 ,  5F045EM03