▲III▼-V族化合物半導体の気相成長装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：舘野千恵子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-049910
公開番号（公開出願番号）：特開平2-230721
特許番号：特許第2743444号
出願日： 1989年03月03日
公開日（公表日）： 1990年09月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】III族原料ガスとV族原料ガスを交互に反応管内の成長基板上に供給して結晶成長を行うIII-V族化合物半導体の気相成長装置において、反応管内の成長基板の周辺部に該基板を挟んで配設されたIII族原料ガスおよびV族原料ガスに対する独立した各噴出口と、該各噴出口の近傍に配設された原料ガスの各排気口と、該各排気口に配設された排気調節機構とを備えてなることを特徴とするIII-V族化合物半導体の気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C30B 29/40 502

FI (2件)：

H01L 21/205 , C30B 29/40 502 E

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