特許
J-GLOBAL ID：201103063494783733
レジストパターンの形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-323024
公開番号（公開出願番号）：特開平3-182756
特許番号：特許第2867509号
出願日： 1989年12月13日
公開日（公表日）： 1991年08月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板上にα-メチルスチレンとα-クロロアクリル酸メチルとの共重合体よりなり下記構造式で示されるポジ型レジストを塗布する工程と、前記塗布されたポジ型レジストを選択的に露光する工程と、前記選択的に露光されたポジ型レジストを現像してレジストパターンを形成する工程と、前記ポジ型レジストを現像する工程の後、該ポジ型レジストの未露光部分を溶解せず且つ露光部分における該ポジ型レジストの残些を溶解する溶剤を含むリンス液で前記レジストパターンをリンス処理する工程とを含み、前記リンス液に含まれる溶剤が、四塩化炭素、キシレン、メチルイソブチルケトン、体積比で50%以上のメチルイソブチルケトンとイソプロピルアルコールとの混合液、の何れかであることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (2件)：
G03F 7/32 501
, H01L 21/027
G03F 7/32 501
, H01L 21/30 569 E
